EUV 이후 차세대 반도체 장비 기술 2nm 이하 시대, “광학·공정·소재”의 한계 돌파 경쟁 현재 반도체 미세공정의 핵심은 EUV(극자외선 노광)이다. 그러나 2nm 이하로 진입하면서 기존 EUV 기술만으로는 물리적 한계에 도달하고 있으며, 이에 따라 차세대 장비 기술 경쟁이 본격화되고 있다.

핵심은 다음 세 가지다. 더 미세하게 그리는 기술 더 정밀하게 제어하는 기술 완전히 새로운 방식의 패터닝 기술 1.

High-NA EUV (차세대 핵심) 현재 가장 현실적인 “EUV 이후” 기술은 사실 EUV의 진화형이다. 핵심 개념 기존 EUV: NA 0.33 High-NA EUV: NA 0.55 렌즈 개구수(NA)를 높여 해상도를 획기적으로 개선 기술 효과 기존 대비 정밀도 약 1.7배 향상 집적도 약 2.9배 증가 적용 영역 2nm 이하 공정 차세대 DRAM 및 로직 산업 현황 Intel: 14A 공정 적용 준비 SK hynix: 양산 장비 도입 Samsung Electronics: 연...